放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式ICPエッチング装置です。
独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。
エッチングする材料 | AlGaN、 GaN |
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エッチングに使うガス | Cl2、 SiCl4 |
エッチングのマスク | フォトレジスト |
エッチングする膜厚 | 20~180nm |